-
1 sputter etch rate
скорость распыления (скорость распыления, напр., материала на мишень для фотокатодных передающих трубок)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > sputter etch rate
-
2 bombardment enhanced etch rate
Engineering: BEERУниверсальный русско-английский словарь > bombardment enhanced etch rate
-
3 показатель травления
резистор, полученный методом травления — etched resistor
Русско-английский новый политехнический словарь > показатель травления
-
4 фигура травления
-
5 клин травления
Русско-английский новый политехнический словарь > клин травления
-
6 скорость травления
Русско-английский словарь по электронике > скорость травления
-
7 скорость травления
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > скорость травления
-
8 возможность подбора скорости травления
Русско-английский словарь по микроэлектронике > возможность подбора скорости травления
-
9 скорость травления
Русско-английский словарь по микроэлектронике > скорость травления
-
10 скорость травления полупроводника n-типа
Русско-английский словарь по микроэлектронике > скорость травления полупроводника n-типа
-
11 фигура травления
Русско-английский новый политехнический словарь > фигура травления
-
12 селективность травления
1) Engineering: etch selectivity, etching selectivity2) Microelectronics: etch rate selectivityУниверсальный русско-английский словарь > селективность травления
-
13 скорость травления
Engineering: etch rate, etching rateУниверсальный русско-английский словарь > скорость травления
-
14 возможность подбора скорости травления
Microelectronics: etch rate selectivityУниверсальный русско-английский словарь > возможность подбора скорости травления
-
15 дифференциальная скорость травления
Electronics: differential etch rateУниверсальный русско-английский словарь > дифференциальная скорость травления
-
16 скорость травления полупроводника n-типа
Electronics: n-etch rateУниверсальный русско-английский словарь > скорость травления полупроводника n-типа
-
17 скорость травления, увеличенная облучением
Engineering: bombardment enhanced etch rateУниверсальный русско-английский словарь > скорость травления, увеличенная облучением
-
18 sputtering yield
выход продуктов распыления (поверхности к.-л. материала при ионной бомбардировке)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > sputtering yield
-
19 дифференциальный
1. sliding2. differentialРусско-английский большой базовый словарь > дифференциальный
-
20 дифференциальный
Русско-английский новый политехнический словарь > дифференциальный
- 1
- 2
См. также в других словарях:
etch rate — ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch rate; etch speed vok. Ätzrate, f rus. скорость травления, f pranc. rapidité du décapage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
differential etch rate — skirtuminis ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. differential etch rate vok. Differenzätzrate, f rus. дифференциальная скорость травления, f pranc. vitesse différentielle de décapage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
n-semiconductor etch rate — elektroninio puslaidininkio ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n semiconductor etch rate vok. Ätzrate von n Halbleiter, f rus. скорость травления полупроводника n типа, f pranc. vitesse de décapage du semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
Etch pit density — The etch pit density (EPD) is a measure for the quality of semiconductor wafers. An etch solution is applied on the surface of the wafer where the etch rate is increased at dislocations of the crystal resulting in pits. For GaAs one uses… … Wikipedia
etch speed — ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch rate; etch speed vok. Ätzrate, f rus. скорость травления, f pranc. rapidité du décapage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… … Wikipedia
Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… … Wikipedia
Cosmic ray — For the film, see Cosmic Ray (film). Cosmic radiation redirects here. For some background types of cosmic radiation, see cosmic background radiation and cosmic background. The energy spectrum for cosmic rays Cosmic rays are energetic charged… … Wikipedia
Isotropy — is uniformity in all orientations; it is derived from the Greek iso (equal) and tropos (direction). Precise definitions depend on the subject area. Exceptions, or inequalities, are frequently indicated by the prefix an, hence anisotropy.… … Wikipedia
Xenon difluoride — Chembox new Name = Xenon difluoride ImageFile = Xenon difluoride 2D.png ImageName = Xenon difluoride ImageFile1 = Xenon difluoride 3D vdW.png ImageName1 = Xenon difluoride IUPACName = xenon(II) fluoride OtherNames = xenon fluoride, xenon… … Wikipedia
Reactive-ion etching — (RIE) is an etching technology used in microfabrication. It uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High energy ions from the plasma… … Wikipedia